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Electroless Nickel Plating
PacLine 200/300 (Automated Equipment for Electroless Deposition of NiAu and/or NiPdAu):

PacLine 300 A50는 반도체 웨이퍼 위의 Ni/Au 또는 NiPdAu 범프를 Al 또는 Cu 패드로 무전해 도금하는 장비입니다..

이 시스템으로 한번에 최대 50개 웨이퍼( 8") 또는 26개 웨이퍼(12") 처리가 가능합니다.

상세안내

 pacLine 레시피 관리, 공정 제어 및 데이터 로깅을 위한 완벽한 소프트웨어 솔루션을 포함하고 있습니다. 복잡한 고장 및 응급 루틴을 돌려야 할 경우 병렬식으로 최대 3과정의 안전한 시스템을 제공하고 있습니다.
 
 SECS GEM의 통신 프로토콜로 직접적인 인터페이스 접속을 할 수 있으며 수정사항을 고객 사양에 맞춰 융통성 있게 처리할 수 있습니다.


 팩택은 표준 산업 규격에 맞는 범핑 라인을 갖추고 있으며, 고객 사양에 맞는 Wet benches를 제공하고 있습니다.  
 
 모듈방식의 범핑 라인은 Input과 Output의 통로로 구성되어 있습니다.
고객의 요구에 맞춘 프로세스 모듈, 빠른 덤프 세척 탱크, 건조실과 자동 질소 제거 등이 가능합니다.
 
 


Specifications:
 
• 다양한 크기 가능 4" ~ 12"
• UPH :  150(8 ") Wafer/ 시간 (5㎛ Ni / Au UBM)
• 와이어 본딩의 안정성을 위해 두꺼운 Au 사용 가능
• 무전 해 니켈에 컨트롤러
• Semi HMI(Human Machine Interface)  
• PLC 제어로 자동 처리
• 각 모듈에 대한 추가 보안
• SECS GEM 인터페이스
• QualPac 통계 및 공정 제어
• 스테인레스 스틸 또는 PVDF 프레임
• 인라인 건조  
• 화재 안전 표준 FM 4910 인증
 
장점 :
• 종합 품질 소프트웨어 QualPac -  ISO9001 인증Pa
• 대기업의 OEM 생산 거점에 설치
• 턴키 프로세스 솔루션
• 웨이퍼 크기 4" ~ 12" (다른 도구 필요없음)
• Compliant with Semi S2 ; FM 4910 and CE
 
 Automatic PacLine 300 A50

 

PacLine 200 A50



Manual PacLine 200ML C2



 
SPIN PAC Spin coater ASC 200/300:
 
 최대 12" 의 웨어퍼 자동 도금 시스템이다. 서로 다른 온도에서  웨이퍼 경화와 굽기가 가능한 두 열판으로 코팅이 가능합니다.
  
 매우 높은 품질과 균일한 코팅 반복이 가능합니다. 특히 웨이퍼 뒷면과 모서리 부분의 견고한 코팅이 가능합니다.
 
 특히 레지스트 웨이퍼 뒷면을 위해 웨이퍼의 가장자리에 도포 균일 성이 매우 높은 품질과 재현성을 제공합니다.
  
 자동 시스템의 최대 처리량은 50개(Wafer)/시간 입니다. 
 스핀 코터는 카세트 대 카세트 완전자동화 로딩이 가능하며 수동 로딩의 반자동 시스템도 가능합니다.
 


ASC 200



 
PlasPac 300 Plasma Clean/Etch System:
 


RIE 시스템 - 웨이퍼 세정 및 포토레지스트 제거
 
Specifications: 2.5 kW @ RF Frequency (500 W per Electrode)
 
 

Wafer 크기 웨이퍼 처리/ 주기 수율
4", 5", 6" 25 wafers ~ 75 wafers / hour*
8" 20 wafers ~ 60 wafers / hour*
8" 20 wafers ~ 40 wafers / hour**
12" 5 wafers ~ 15 wafers / hour*
 


* Al 패드 클리닝
** 뒷면 포토레지스트 제거
 
• 다양한 웨이퍼 크기: 4 ", 5", 6 ", 8", 12 "
• 프로세스 모니터링 및 품질 데이터베이스
• 유연한 작동법 관리
• 크기 : 1200 x 1300 X2200 mm (D × W × H)
• 무게 : 1000 kg
• 주전력 : 11.5 kW
• 진공  펌핑 :  410 m3/시간(50 Hz), 최저 압력 5x10-3 mbar 펌핑
• 진공 챔버 :  850 X850 X850 mm3
• 가스 공급 : 2~4개의 대량 유량 제어 냉각 장치 : 총 냉동 능력 6 kW